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微波等離子化學氣相沉積系統(tǒng): NM的微波PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源，...

光學鍍膜設備：NANO-MASTER NOC-4000光學涂覆系統(tǒng)提供*進的技術，在一個腔體中實現原子級清洗和光學樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級腔體中對同一樣...

光學鍍膜系統(tǒng)：NANO-MASTER NOC-4000光學涂覆系統(tǒng)提供*進的技術，在一個腔體中實現原子級清洗和光學樣片拋光，然后把樣片傳送到第二級腔體中對同一樣...

NOC-4000進口光學鍍膜機：NANO-MASTER NOC-4000光學涂覆系統(tǒng)提供*進的技術，在一個腔體中實現原子級清洗和光學樣片拋光，然后把樣片傳送到第...

NPD-4000（A）全自動PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質由容易逃出與電離的核素...

NPD-4000（M）PLD脈沖激光沉積系統(tǒng)：脈沖激光束聚焦在固體靶的表面上。固體表面大量吸收電磁輻射導致靶物質快速蒸發(fā)。蒸發(fā)的物質由容易逃出與電離的核素組成。...

NEE-4000（A）全自動電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔配置，樣品臺位于主腔體，二級腔體則用于安置電子束源。兩腔體之間的門閥作為預真空鎖...

NEE-4000（M）電子束蒸發(fā)系統(tǒng)：NEE-4000電子束蒸發(fā)系統(tǒng)為雙腔體的配置，樣品臺位于主腔體，二級腔體則用于安置電子束源。兩個腔體之間的門閥可以作為預真...

NTE-4000（A）全自動熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用。設備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復的工藝特點。具有...

NTE-4000（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-4000是PC控制的立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用。設備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復...

NTE-3500（A）全自動熱蒸發(fā)系統(tǒng)：全自動立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用。設備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復的工藝特點。具有...

NTE-3500（M）熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3500是PC控制的緊湊型立式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用。設備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及...

NTE-3000熱蒸發(fā)系統(tǒng)：NTE-3000是PC控制的臺式熱蒸發(fā)系統(tǒng)，在有機物和金屬沉積方面具有廣泛的應用。設備具有占地面積小、干凈、均勻、可控及可重復的工藝...

NPE-4000（ICPA）全自動ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, DLC膜到Z大可達6" 基片...

NPE-4000（ICPM）ICPECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片...

NPE-4000（A）全自動PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋...

NPE-4000（M）PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電...

NPE-3500 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或...

NPE-3000 PECVD等離子體化學氣相沉積系統(tǒng): NM的PECVD能夠沉積高質量SiO2, Si3N4, 或DLC膜到Z大可達12" 的基片.淋浴頭電極或...

NSC-4000（A）全自動磁控濺射系統(tǒng)：立式自動系統(tǒng)，帶有水冷或者加熱（Z高可加熱到700度）功能，Z大到6“旋轉平臺，Z大可支持到4個偏軸平面磁控管。系統(tǒng)配...